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正耀電子有限公司
會(huì)員級(jí)別：未認(rèn)證我要認(rèn)證
所在地址：昆山市長江中路198號(hào)裕元新天地廣場(chǎng)二號(hào)樓8樓
聯(lián)系電話： 未認(rèn)證電話 我要認(rèn)證
手　　機(jī)： 未認(rèn)證電話 我要認(rèn)證
成立時(shí)間：2006
主營行業(yè)：光伏儲(chǔ)能SiC MOSFET，碳化硅SiC MOSFET分立器件,，碳化硅SiC MOSFET模塊,，混合SiC-IGBT單管國產(chǎn)替代，三電平IGBT模塊,，I型NPC1三電平IGBT模塊,，T型NPC2三電平IGBT模塊,IGBT模塊

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專業(yè)分銷BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET，BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件,，BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二極管,BASiC SiC碳化硅模塊,，BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本半導(dǎo)體單管IGBT,，BASiC基本半導(dǎo)體IGBT模塊,，BASiC基本半導(dǎo)體三電平IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體I型三電平IGBT模塊,，BASiC基本半導(dǎo)體T型三電平IGBT模塊,，BASiC 混合IGBT單管,，BASiC 混合IGBT模塊，BASiC 三電平IGBT模塊,。BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管,，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊適合應(yīng)用于雙向AC-DC電源,，能量的雙向流通的雙向 LLC 諧振變換器,，變換效率高，儲(chǔ)能變流器碳化硅SiC功率MOSFET,，基本半導(dǎo)體混合IGBT模塊被廣泛應(yīng)用于新能源領(lǐng)域,，醫(yī)療電源，X射線高壓電源,，大功率高頻高速變頻器,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管,，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器，實(shí)現(xiàn)直流升壓降壓轉(zhuǎn)換,，儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路,，高壓側(cè)接入PV直流側(cè)，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)?，低壓?cè)接電池組,。基本半導(dǎo)體混合SiC功率模塊 Hybrid SiC Module主... [詳細(xì)介紹]

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