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公司信息

深圳市大芯超導(dǎo)有限公司
會(huì)員級(jí)別：未認(rèn)證我要認(rèn)證
所在地址：深圳市寶安區(qū)德至高科技園
聯(lián)系電話： 未認(rèn)證電話 我要認(rèn)證
手　　機(jī)： 未認(rèn)證電話 我要認(rèn)證
成立時(shí)間：2012
主營行業(yè)：Wolfspeed-CREE碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代,，英飛凌碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代,，ON安森美碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代，英飛凌碳化硅MOSFET模塊國產(chǎn)替代,，英飛凌混合SiC-IGBT單管國產(chǎn)替代,，英飛凌混合SiC三電平替代,，Vincotech三電平IGBT模塊國產(chǎn)替代，ON安森三電平IGBT模塊國產(chǎn)替代,，I型NPC1三電平IGBT模塊,，T型NPC2三電平IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊國產(chǎn)替代

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大芯超導(dǎo)有限公司元器件專業(yè)分銷BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET，BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件,，BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二極管,BASiC SiC碳化硅模塊,，BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本半導(dǎo)體單管IGBT,，BASiC基本半導(dǎo)體IGBT模塊,，BASiC基本半導(dǎo)體三電平IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體I型三電平IGBT模塊,，BASiC基本半導(dǎo)體T型三電平IGBT模塊,，BASiC 混合IGBT單管，BASiC 混合IGBT模塊,，BASiC 三電平IGBT模塊,。BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊適合應(yīng)用于雙向AC-DC電源,，能量的雙向流通的雙向 LLC 諧振變換器，變換效率高,，儲(chǔ)能變流器碳化硅SiC功率MOSFET,，基本半導(dǎo)體混合IGBT模塊被廣泛應(yīng)用于新能源領(lǐng)域，醫(yī)療電源,，X射線高壓電源,，大功率高頻高速變頻器,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器,，實(shí)現(xiàn)直流升壓降壓轉(zhuǎn)換,，儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路，高壓側(cè)接入PV直流側(cè),，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)?，低壓?cè)接電池組?；景雽?dǎo)體混合SiC功率模... [詳細(xì)介紹]

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