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未認證企業(yè)

正耀電子科技有限公司碳化硅MOSFET業(yè)務部0

上海SiC碳化硅MOSFET,,上海國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET模塊,,華東SiC碳化硅MOSFET,蘇州Si...

公司信息

正耀電子科技有限公司碳化硅MOSFET業(yè)務部
會員級別:未認證
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所在地址:昆山市長江中路198號裕元新天地廣場二號樓8樓
聯(lián)系電話: 未認證電話  我要認證
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成立時間:2006
主營行業(yè):上海SiC碳化硅MOSFET,,上海國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET模塊,,華東SiC碳化硅MOSFET,蘇州SiC碳化硅MOSFET,,無錫SiC碳化硅MOSFET,,杭州SiC碳化硅MOSFET,自主可控SiC碳化硅MOSFET,,國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET,,OBC車載SiC碳化硅MOSFET,儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊,,充電樁電源模塊碳化硅MOSFET,,熱管理電動壓縮機C碳化硅MOSFET,光伏SiC碳化硅MOSFET,,英飛凌SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代,,安森美SiC碳化硅MOSFET

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    專業(yè)分銷BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半導體碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本半導體單管IGBT,,BASiC基本半導體IGBT模塊,,BASiC基本半導體三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體I型三電平IGBT模塊,,BASiC基本半導體T型三電平IGBT模塊,,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊,,單通道隔離驅動芯片BTD5350,雙通道隔離驅動芯片BTD21520,單通道隔離驅動芯片(帶VCE保護)BTD3011,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器,,雙向AC-DC電源,,戶用光伏逆變器,戶用光儲一體機,,儲能變流器,,儲能PCS,雙向LLC電源模塊,儲能PCS-Buck-Boost電路,,光儲一體機,PCS雙向變流器,,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領域。在光伏逆變器,、光儲一體機,、儲能變流器PCS、OBC車載充電器,,熱管理電動壓縮機驅動器,,射頻電源,,PET電力電子變壓器,,氫燃料空壓機驅動,大功率工業(yè)電源,,工商業(yè)儲能變流器,,變頻器,變槳伺服驅動輔助電源,,高頻逆變焊機,,高頻伺服驅動等領域與客戶戰(zhàn)略合作,全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展,!


    專業(yè)分銷基本半導體全碳化硅MOSFET模塊,,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,,F(xiàn)ull SiC Module,,SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁,V2G充電樁,,高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC),,空調熱泵驅動,機車輔助電源,,儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機,,超高頻伺服驅動器,高速電機變頻器等. 光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT,,PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓撲逆變模塊,。儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲碳化硅MOSFET,。


    基本半導體再度亮相全球功率半導體展會——PCIM Europe 2023,,在德國紐倫堡正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET新品,。新一代產(chǎn)品性能大幅提升,產(chǎn)品類型進一步豐富,,助力新能源汽車,、直流快充、光伏儲能,、工業(yè)電源,、通信電源等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應用可靠性。


    碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻,、高壓,、高溫性能,是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件,。在電力電子系統(tǒng)中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,,可提高功率回路開關頻率,提升系統(tǒng)效率及功率密度,,降低系統(tǒng)綜合成本,。


    基本半導體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發(fā),比上一代產(chǎn)品在比導通電阻,、開關損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色,。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎上,,基本半導體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS,、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件,以更好地滿足客戶需求,。


    基本半導體第二代碳化硅MOSFET亮點

    更低比導通電阻:第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設計方案,,比導通電阻降低約40%,產(chǎn)品性能顯著提升,。


    更低器件開關損耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%,,開關損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低,,提高器件的抗干擾能力,,降低器件在串擾行為下誤導通的風險。


    更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通過更高標準的HTGB,、HTRB和H3TRB可靠性考核,,產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。


    更高工作結溫:第二代碳化硅MOSFET工作結溫達到175°C,,提高器件高溫工作能力,。


    基本半導體第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H,B2M065120Z,,B2M065120R,,B2M040120H,,B2M040120Z,B2M040120R,,B2M035120YP,,B2M020120H,B2M020120Z,,B2M020120R,,B2M1000170H,B2M1000170Z,,B2M1000170R,,B2M0242000Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊,,半橋SiC MOSFET模塊,,ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,T型三電平模塊,,MPPT BOOST SiC MOSFET模塊,。

    B2M030120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R030M1H,安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K,。

    B2M0242000Z國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R024M1H,。

    B2M035120YP,,B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H,,安森美NTH4L040N120M3S,NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K,。

    B2M020120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R020M1H,,安森美NTH4L020N120SC1,NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K,。

    B2M1000170R國產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1,,安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。

    B2M065120H國產(chǎn)代替安森美NTHL070N120M3S,。

    B2M065120Z國產(chǎn)代替英飛凌IMZ120R060M1H,,安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A


    NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓撲結構是一種應用為廣泛的多電平拓撲結構。近年來隨著電力電子技術在電力行業(yè)的發(fā)展,,NPC三電平技術開始越來越多的應用到各個領域,,包括光伏逆變器、風電變流器,、高壓變頻器,、UPS、APF/SVG,、高頻電源等都有著廣泛的應用,。NPC拓撲常用的有兩種結構,,就是我們常說的“I”字型(也稱NPC1)和“T”字型(也稱NPC2、MNPC,、TNPC,、NPP等)。另外ANPC也是一種NPC1的改進型,,這些年隨著器件的發(fā)展,,ANPC也開始有一些適合的應用。


    在分時電價完善,、峰谷電價差拉大,、限電事件頻發(fā)等多重因素驅動下,工商業(yè)儲能的經(jīng)濟性明顯提升,。工商業(yè)儲能是用戶側儲能系統(tǒng)的主要類型之一,,可以大化提升光伏自發(fā)自用率,降低工商業(yè)業(yè)主的電費開支,,助力企業(yè)節(jié)能減排,。

    工商業(yè)儲能裝機有望在政策鼓勵、限電刺激,、電價改革等利好因素刺激下進入高速增長期,,復合增速有望持續(xù)飆升。 


    公司檔案

    公司名稱: 正耀電子科技有限公司碳化硅MOSFET業(yè)務部 公司類型: 企業(yè)單位 ()
    所 在 地: 江蘇/蘇州市 公司規(guī)模:
    注冊資本: 未填寫 注冊年份: 2006
    資料認證:
    保 證 金: 已繳納 0.00
    經(jīng)營范圍: 上海SiC碳化硅MOSFET,,上海國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET模塊,,華東SiC碳化硅MOSFET,蘇州SiC碳化硅MOSFET,,無錫SiC碳化硅MOSFET,,杭州SiC碳化硅MOSFET,自主可控SiC碳化硅MOSFET,,國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET,,OBC車載SiC碳化硅MOSFET,儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊,,充電樁電源模塊碳化硅MOSFET,,熱管理電動壓縮機C碳化硅MOSFET,光伏SiC碳化硅MOSFET,,英飛凌SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代,,安森美SiC碳化硅MOSFET
    主營行業(yè):
    電子電工