BASiC?基半股份一級代理商致力于推動SiC模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！實現(xiàn)中國電力電子產(chǎn)業(yè)升級,！

為什么在儲能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC模塊全面革掉IGBT模塊的命,！

儲能變流器（Power Conversion System）英文簡稱PCS，可控制蓄電池的充電和放電過程,，進行交直流的變換,，在無電網(wǎng)情況下可以直接為交流負(fù)荷供電。 儲能變流器PCS由DC/AC 雙向變流器,、控制單元等構(gòu)成,。 根據(jù)功率指令的符號及大小控制變流器對電池進行充電或放電，實現(xiàn)對電網(wǎng)有功功率及無功功率的調(diào)節(jié),。PCS儲能變流器,，全稱Power Conversion System，是儲能系統(tǒng)中的關(guān)鍵設(shè)備,，用于實現(xiàn)儲能電池與電網(wǎng)之間的能量轉(zhuǎn)換和雙向流動,。它能夠?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為交流電或?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為直流電，以滿足電網(wǎng)對儲能系統(tǒng)的充放電需求,。PCS儲能變流器在儲能系統(tǒng)中扮演著“橋梁”的角色,，連接著儲能電池和電網(wǎng)，確保儲能系統(tǒng)的高效,、穩(wěn)定運行,。

PCS儲能變流器的應(yīng)用場景

1.能量時移：在用戶側(cè)儲能系統(tǒng)中，PCS儲能變流器可以用于能量時移,，將白天時段內(nèi)光伏多余的發(fā)電量儲存起來,，在晚上或者陰雨天氣無光伏發(fā)電量的時段內(nèi)再通過PCS釋放出來，可以實現(xiàn)光伏發(fā)電的最大化自發(fā)自用,。

2.峰谷套利：在用戶側(cè)儲能系統(tǒng)中,，尤其是執(zhí)行分時電價的工商業(yè)園區(qū)，PCS儲能變流器可用于進行峰谷套利,，通過在電價低廉的時間段進行充電,，在電價高昂的時間段進行放電，實現(xiàn)低充高放進行套利,，達到節(jié)省園區(qū)整體用電成本的目的,。

3.動態(tài)擴容：在電力容量受限的場景，類似電動汽車充電站場景,，通過PCS儲能變流器配置儲能電池來進行動態(tài)擴容,，充電高峰時候，PCS儲能變流器進行放電,，提供額外的功率支持；充電低峰時，PCS儲能變流器進行充電,，儲存低價的電能進行備用,，既能實現(xiàn)峰谷套利，又能給充電場站進行動態(tài)擴容,。

4. 微電網(wǎng)系統(tǒng)：在微電網(wǎng)系統(tǒng)中,，PCS儲能變流器能夠?qū)崿F(xiàn)分布式電源與儲能系統(tǒng)的協(xié)調(diào)控制，提高微電網(wǎng)的穩(wěn)定性和供電質(zhì)量,。通過PCS儲能變流器的精確功率控制和智能能量管理,，可以實現(xiàn)微電網(wǎng)系統(tǒng)中電源和負(fù)荷的平衡和優(yōu)化調(diào)度。

5. 電力系統(tǒng)調(diào)頻調(diào)峰：在電力系統(tǒng)中,，PCS儲能變流器可以用于調(diào)頻調(diào)峰,，提高電網(wǎng)的穩(wěn)定性和可靠性。當(dāng)電網(wǎng)負(fù)荷高峰時,，PCS儲能變流器可以釋放儲能電池中的能量,，為電網(wǎng)提供額外的功率支持；當(dāng)電網(wǎng)負(fù)荷低谷時,，PCS儲能變流器則可以吸收電網(wǎng)中的多余能量,，為儲能電池充電，以備后用,。

PCS儲能變流器的發(fā)展趨勢

目前在大型儲能電站中普遍采用集中式PCS,一臺大功率PCS同時控制多簇并聯(lián)的電池,，電池簇間的不均衡問題得不到有效的處理；而組串式PCS,，一臺中小功率的PCS只控制一簇電池,，實現(xiàn)一簇一管理，有效規(guī)避電池簇間的木桶效應(yīng),，提升系統(tǒng)壽命,，提高全壽命周期放電容量，組串式PCS規(guī)?；瘧?yīng)用趨勢已見雛形,，在工商業(yè)儲能一體柜中組串式PCS已成為行業(yè)主流方案，未來在大型儲能電站中也將實現(xiàn)大規(guī)?；瘧?yīng)用,。

隨著新能源和智能電網(wǎng)的快速發(fā)展以及儲能技術(shù)的不斷進步，PCS儲能變流器將面臨更大的發(fā)展機遇和挑戰(zhàn),。未來,，PCS儲能變流器將朝著更高效、更智能,、更靈活的方向發(fā)展,。

IGBT模塊在十幾 kHz開關(guān)頻率中就會表現(xiàn)出嚴(yán)重的局限性，由于IGBT模塊尾電流導(dǎo)致?lián)p耗較大。使用 SiC-MOSFET模塊,，開關(guān)頻率增加,，從而減小了濾波器體積。SiC 模塊允許在數(shù)十和數(shù)百 kHz 的頻率下運行,，開關(guān)損耗相對較低,，從而顯著減少了濾波器和散熱熱系統(tǒng)的體積。這些技術(shù)進步使變流器總體積大幅度減少,，效率提高,，從而能夠在較低溫度下運行并可能延長組件的使用壽命。

為了滿足PCS儲能變流器更高效的需求,，使用基本公司碳化硅SiC模塊全面取代IGBT模塊,，可以提升系統(tǒng)效率1%，有效提升客戶在PCS生命周期里的收益,。SiC模塊全面取代IGBT模塊,，從而將PCS儲能變流器開關(guān)損耗降低高達 70% 至 80%，在儲能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC模塊全面革掉IGBT模塊的命,！

BASiC?基半股份一級代理商致力于推動SiC模塊在高壓變頻器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,！

BASiC?基半股份一級代理商致力于推動SiC模塊在高性能變頻器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！

BASiC?基半股份一級代理商致力于推動SiC模塊在風(fēng)電變流器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,！

BASiC?基半股份一級代理商致力于推動SiC模塊在伺服驅(qū)動應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,！

BASiC?基半股份一級代理商致力于推動SiC模塊在儲能變流器PCS應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！

BASiC?基半股份一級代理商致力于推動SiC模塊在電能質(zhì)量APF應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,！

BASiC?基半股份一級代理商致力于推動SiC-PIM模塊在電梯變頻器應(yīng)用中全面取代IGBT-PIM模塊,！

BASiC?基半股份一級代理商致力于推動SiC-IPM模塊在空調(diào)壓縮機應(yīng)用中全面取代IGBT-IPM模塊！

BASiC?基半股份一級代理商致力于推動SiC模塊在機車牽引變流器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,！

BASiC?基半股份一級代理商致力于推動SiC模塊在汽車電驅(qū)動應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,！

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET模塊正在替代英飛凌三菱賽米控富士IGBT模塊!

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使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電力電子系統(tǒng),！-基半BASiC一級代理商專業(yè)分銷

使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT變流器，實現(xiàn)更高的變流效率,，更小的變流體積重量,！更低的變流成本！

隨著銅價暴漲高燒不退,，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點,，使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng),，整機重量）,，電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代,，未來已來,！基半BASiC一級代理商專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET！基半BASiC一級代理商全力推進基本公司?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT!

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基半BASiC一級代理商專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H,，IMYH200R050M1H,，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H,，DF4-19MR20W3M1HF_B11,，F(xiàn)F4MR20KM1HP，F(xiàn)F3MR20KM1H,，F(xiàn)F5MR20KM1HP,，F(xiàn)F5MR20KM1H，F(xiàn)F4MR20KM1H,，F(xiàn)F3MR20KM1HP,。

基本公司?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代Infineon英飛凌FF900R12ME7W_B11，F(xiàn)F900R17ME7W_B11,，F(xiàn)F450R12KT4,，F(xiàn)F600R12ME4_B72，F(xiàn)F750R12ME7_B11,，F(xiàn)F900R12ME7P_B11,，IFF600B12ME4_B11，F(xiàn)F600R12KE4

基本公司?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代賽米控丹佛斯SK40MD120CR03ETE1,，SK40MB120CR03TE1,，SKKE60S12，SK80MB120CR03TE1,，SK150MB120CR03TE2,，SK200MB120CR03TE2，SKM125KD12SC,，SK250MB120CR03TE2V1,，SK250MB120CR03TE2，SKM350MB120SCH15,，SKM350MB120SCH17,，SKM500MB120SC,，SKM260MB170SCH17

基本公司?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代FUJI富士2MBI600XHA120-50，2MBI450XHA120-50,，2MBI450XNA120-50,，2MBI600XNG120-50，2MBI800XNE120-50,，2MBI1000XRNE120-50,，2MBI450XNA170-50，2MBI600XNG170-50,，2MBI800XRNE170-50,，2CSI300DAHE120-50，2CSI450DAHE120-50,，2CSI600DAHE120-50,，2CSI200DAHE170-50，2CSI300DAHE170-50,，2CSI400DAHE170-50

基半BASiC一級代理商致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣,！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

基半BASiC一級代理商致力于SiC模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊，SiC單管在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT單管,，650V SiC碳化硅MOSFET在電源應(yīng)用中全面取代Super Junction超結(jié)MOSFET!

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲系統(tǒng),，1500V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器，1500V系統(tǒng)儲能變流器PCS,，1500V系統(tǒng)固態(tài)斷路器,，固態(tài)變壓器等。

大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統(tǒng)上使用飛跨電容IGBT方案,，控制復(fù)雜,，頻率低，采用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET進行兩電平改造,，控制簡單可靠,，頻率提升，電感成本降低,，MPPT部分提升效率,，降低成本。

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小,。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性,。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗,，從而提高開關(guān)頻率。進一步的,，可以優(yōu)化濾波器組件,，相應(yīng)的損耗會下降,，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊,，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化）,，同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值,。

未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸,、更低的比導(dǎo)通電阻,、更低的開關(guān)損耗,、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向,，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此,，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET,，該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性,，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻,、器件開關(guān)損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能,，可助力光伏儲能,、新能源汽車、直流快充,、工業(yè)電源,、通信電源、伺服驅(qū)動,、APF/SVG,、熱泵驅(qū)動、工業(yè)變頻器,、逆變焊機,、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

為滿足光伏儲能領(lǐng)域高電壓,、大功率的應(yīng)用需求,，BASiC?基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET,，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻,、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗,、支持更高開關(guān)頻率運行等特點,。

針對新能源汽車的應(yīng)用需求,，BASiC?基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應(yīng)用在車載充電機及汽車空調(diào)壓縮機驅(qū)動中,。

B3M040120Z是BASiC?基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品,，該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性,，相對于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻,、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進一步提升。

相較于傳統(tǒng)封裝形式,，BASiC?基半股份PCB嵌入式功率模塊單位半導(dǎo)體的通流能力可以提升約40%,，或者同樣電流輸出使用的半導(dǎo)體用量減少1/3。同樣功率輸出條件下,，功率模塊物料成本有望降低20%,。PCB布局設(shè)計相對于傳統(tǒng)封裝設(shè)計更加靈活，大大加快了工程開發(fā)的迭代速度和客戶交付速度,。受到封裝-而難以在傳統(tǒng)逆變器中實現(xiàn)的高級電路拓?fù)?，如三電平、IGBT/SiC MOSFET混并等方案,，都可以借助BASiC?基半股份PCB嵌入式封裝高度靈活性的優(yōu)勢而加速了產(chǎn)業(yè)化落地,。

根據(jù)技術(shù)和商業(yè)評估，BASiC?基半股份PCB嵌入式功率模塊是一項非常有前景的封裝技術(shù),，有望在在單位功率成本,、功率密度、產(chǎn)品交付和迭代速度等方面遠遠超越傳統(tǒng)封裝,，成為未來電力電子應(yīng)用的新方向,。

BMF240R12E2G3是BASiC?基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器,、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板,，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗,、抗誤導(dǎo)通,、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC?基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊,，主要應(yīng)用于OBC,、空調(diào)壓縮機和工業(yè)電源中。

BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列,，此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設(shè)計,，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅(qū)動MOSFET,、IGBT等功率器件,。

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢,，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在,。隨著IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸,，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢,。

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