BASiC?基半股份一級代理商致力于推動SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,！實(shí)現(xiàn)中國電力電子自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

為什么在儲能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC碳化硅模塊全面革掉IGBT模塊的命,！

儲能變流器（Power Conversion System）英文簡稱PCS,，可控制蓄電池的充電和放電過程，進(jìn)行交直流的變換,，在無電網(wǎng)情況下可以直接為交流負(fù)荷供電,。 儲能變流器PCS由DC/AC 雙向變流器,、控制單元等構(gòu)成,。 根據(jù)功率指令的符號及大小控制變流器對電池進(jìn)行充電或放電，實(shí)現(xiàn)對電網(wǎng)有功功率及無功功率的調(diào)節(jié),。PCS儲能變流器,，全稱Power Conversion System，是儲能系統(tǒng)中的關(guān)鍵設(shè)備,，用于實(shí)現(xiàn)儲能電池與電網(wǎng)之間的能量轉(zhuǎn)換和雙向流動,。它能夠?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為交流電或?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為直流電，以滿足電網(wǎng)對儲能系統(tǒng)的充放電需求,。PCS儲能變流器在儲能系統(tǒng)中扮演著“橋梁”的角色,，連接著儲能電池和電網(wǎng),，確保儲能系統(tǒng)的高效、穩(wěn)定運(yùn)行,。

PCS儲能變流器的應(yīng)用場景

1.能量時(shí)移：在用戶側(cè)儲能系統(tǒng)中,，PCS儲能變流器可以用于能量時(shí)移，將白天時(shí)段內(nèi)光伏多余的發(fā)電量儲存起來,，在晚上或者陰雨天氣無光伏發(fā)電量的時(shí)段內(nèi)再通過PCS釋放出來,，可以實(shí)現(xiàn)光伏發(fā)電的最大化自發(fā)自用。

2.峰谷套利：在用戶側(cè)儲能系統(tǒng)中,，尤其是執(zhí)行分時(shí)電價(jià)的工商業(yè)園區(qū),，PCS儲能變流器可用于進(jìn)行峰谷套利，通過在電價(jià)低廉的時(shí)間段進(jìn)行充電,，在電價(jià)高昂的時(shí)間段進(jìn)行放電,，實(shí)現(xiàn)低充高放進(jìn)行套利，達(dá)到節(jié)省園區(qū)整體用電成本的目的,。

3.動態(tài)擴(kuò)容：在電力容量受限的場景,，類似電動汽車充電站場景，通過PCS儲能變流器配置儲能電池來進(jìn)行動態(tài)擴(kuò)容,，充電高峰時(shí)候,，PCS儲能變流器進(jìn)行放電，提供額外的功率支持,；充電低峰時(shí),，PCS儲能變流器進(jìn)行充電，儲存低價(jià)的電能進(jìn)行備用,，既能實(shí)現(xiàn)峰谷套利,，又能給充電場站進(jìn)行動態(tài)擴(kuò)容。

4. 微電網(wǎng)系統(tǒng)：在微電網(wǎng)系統(tǒng)中,，PCS儲能變流器能夠?qū)崿F(xiàn)分布式電源與儲能系統(tǒng)的協(xié)調(diào)控制,，提高微電網(wǎng)的穩(wěn)定性和供電質(zhì)量。通過PCS儲能變流器的精確功率控制和智能能量管理,，可以實(shí)現(xiàn)微電網(wǎng)系統(tǒng)中電源和負(fù)荷的平衡和優(yōu)化調(diào)度,。

5. 電力系統(tǒng)調(diào)頻調(diào)峰：在電力系統(tǒng)中，PCS儲能變流器可以用于調(diào)頻調(diào)峰,，提高電網(wǎng)的穩(wěn)定性和可靠性,。當(dāng)電網(wǎng)負(fù)荷高峰時(shí)，PCS儲能變流器可以釋放儲能電池中的能量,，為電網(wǎng)提供額外的功率支持,；當(dāng)電網(wǎng)負(fù)荷低谷時(shí)，PCS儲能變流器則可以吸收電網(wǎng)中的多余能量,，為儲能電池充電,，以備后用,。

PCS儲能變流器的發(fā)展趨勢

目前在大型儲能電站中普遍采用集中式PCS,一臺大功率PCS同時(shí)控制多簇并聯(lián)的電池，電池簇間的不均衡問題得不到有效的處理,；而組串式PCS,，一臺中小功率的PCS只控制一簇電池，實(shí)現(xiàn)一簇一管理,，有效規(guī)避電池簇間的木桶效應(yīng),，提升系統(tǒng)壽命，提高全壽命周期放電容量,，組串式PCS規(guī)?；瘧?yīng)用趨勢已見雛形，在工商業(yè)儲能一體柜中組串式PCS已成為行業(yè)主流方案,，未來在大型儲能電站中也將實(shí)現(xiàn)大規(guī)?；瘧?yīng)用。

隨著新能源和智能電網(wǎng)的快速發(fā)展以及儲能技術(shù)的不斷進(jìn)步,，PCS儲能變流器將面臨更大的發(fā)展機(jī)遇和挑戰(zhàn),。未來，PCS儲能變流器將朝著更高效,、更智能,、更靈活的方向發(fā)展。

IGBT模塊在十幾 kHz開關(guān)頻率中就會表現(xiàn)出嚴(yán)重的局限性,，由于IGBT模塊尾電流導(dǎo)致?lián)p耗較大,。使用 SiC-MOSFET模塊，開關(guān)頻率增加,，從而減小了濾波器體積,。SiC 模塊允許在數(shù)十和數(shù)百 kHz 的頻率下運(yùn)行，開關(guān)損耗相對較低,，從而顯著減少了濾波器和散熱熱系統(tǒng)的體積,。這些技術(shù)進(jìn)步使變流器總體積大幅度減少，效率提高,，從而能夠在較低溫度下運(yùn)行并可能延長組件的使用壽命,。

為了滿足PCS儲能變流器更高效的需求，使用基本公司碳化硅SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊,，可以提升系統(tǒng)效率1%,，有效提升客戶在PCS生命周期里的收益,。SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊,，從而將PCS儲能變流器開關(guān)損耗降低高達(dá) 70% 至 80%，在儲能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC碳化硅模塊全面革掉IGBT模塊的命,！

儲能變流器（PCS）包括整流器和逆變器,，決定著輸出電能的質(zhì)量與特征,。并網(wǎng)模式下，在負(fù)荷低谷時(shí),，儲能變流器把電網(wǎng)中的交流電整流成直流電給電池組充電,；在負(fù)荷高峰時(shí)，儲能變流器把電池組中的直流電逆變成交流電反送到電網(wǎng)中,。因此,，在新能源規(guī)模化并網(wǎng)的背景下,，逆變器的控制技術(shù)是構(gòu)網(wǎng)型儲能的關(guān)鍵所在,。

跟網(wǎng)型（Grid  Following）控制技術(shù)和構(gòu)網(wǎng)型（Grid Forming）控制技術(shù)。當(dāng)前,，并網(wǎng)儲能逆變器通常采用跟網(wǎng)型控制技術(shù),。

構(gòu)網(wǎng)型變流器技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，其原理是通過模擬同步發(fā)電機(jī)特性來提升系統(tǒng)支撐能力,。它分為電網(wǎng)跟蹤型和電網(wǎng)構(gòu)造型,，構(gòu)網(wǎng)型變流器通過特定控制方式將變流器端口特性塑造為類似同步發(fā)電機(jī)特性，具備頻率響應(yīng),、電壓調(diào)節(jié)和過載能力等特點(diǎn),，其直流側(cè)能量來源多樣，拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)復(fù)雜,，包括模塊化多電平,、兩/三電平，主接線方式有角接拓?fù)浜椭绷魍負(fù)?，接入系統(tǒng)方式分為高壓直掛和低壓升壓后接入,，儲能接入方式也有多種。

跟網(wǎng)型儲能的應(yīng)用主要集中在通過最大功率點(diǎn)跟蹤(maximum power point tracking,，MPPT)技術(shù)向電網(wǎng)注入有功功率,。因此，無功電源是很小的,，往往接近于零,。從整體循環(huán)效率的角度來看，跟網(wǎng)型儲能更有吸引力,。而構(gòu)網(wǎng)型儲能的主要優(yōu)勢之一是調(diào)節(jié)電網(wǎng)的電壓和頻率,，為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，構(gòu)網(wǎng)型儲能中的有功功率和無功功率參考值不斷變化,。

從控制的角度來看,，跟網(wǎng)型儲能的行為可以近似為具有并聯(lián)高阻抗的受控電流源。與跟網(wǎng)型儲能相比,，構(gòu)網(wǎng)型儲能可以近似為具有低串聯(lián)阻抗的電壓源,。跟網(wǎng)型儲能和構(gòu)網(wǎng)型儲能控制的另一個(gè)主要區(qū)別是,，構(gòu)網(wǎng)型儲能可以在沒有電網(wǎng)連接的情況下建立自己的參考電壓和頻率，具有和同步發(fā)電機(jī)類似的運(yùn)行特性,。因此,，構(gòu)網(wǎng)型儲能理論上可以在完全(100%)電力電子設(shè)備系統(tǒng)中運(yùn)行，可適用于弱電網(wǎng)和孤島,，而跟網(wǎng)型儲能比較適用于具有強(qiáng)電網(wǎng)支撐的應(yīng)用場景,。由于開關(guān)設(shè)備的電流-，構(gòu)網(wǎng)型儲能的電力電子設(shè)備容量通常是很大,，以滿足故障電流通流要求,，構(gòu)網(wǎng)型儲能的電力電子設(shè)備PCS中SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊，從而將PCS儲能變流器開關(guān)損耗降低高達(dá) 70% 至 80%,，在儲能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC碳化硅模塊全面革掉IGBT模塊的命,！

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構(gòu)網(wǎng)型儲能系統(tǒng)本質(zhì)上是電壓源,，它能夠自主設(shè)定電壓參數(shù),，輸出穩(wěn)定的電壓與頻率,，提升變流器的電壓,、頻率支撐能力，增強(qiáng)電力系統(tǒng)的穩(wěn)定性,。在頻率和慣量支撐方面,，構(gòu)網(wǎng)型儲能系統(tǒng)通過控制釋放直流側(cè)儲能能量，等效為同步機(jī)慣量機(jī)械能或阻尼能量,，進(jìn)而提供慣量響應(yīng)與振蕩抑制,。

構(gòu)網(wǎng)型儲能系統(tǒng)由構(gòu)網(wǎng)型變流器、升壓變壓器和電力線路組成,。系統(tǒng)容量的變化會直接影響構(gòu)網(wǎng)型變流器,、升壓變壓器和電力線路的等效阻抗。因此,，不能簡單地將構(gòu)網(wǎng)型儲能視為理想電壓源,。

在電壓支撐方面，構(gòu)網(wǎng)型儲能系統(tǒng)通過功率同步控制機(jī)制,，將儲能變流器塑造成電壓源外特性,，可在不依賴外界交流系統(tǒng)的情況下，自行構(gòu)建交流側(cè)電壓幅值與相位,，為電力系統(tǒng)提供強(qiáng)大的電壓支撐,。因此，構(gòu)網(wǎng)型儲能系統(tǒng)則更適合于可再生能源接入比例高的地區(qū),。

Grid-Forming構(gòu)網(wǎng)型儲能技術(shù)可提高系統(tǒng)強(qiáng)度,、增加短路比，從而實(shí)現(xiàn)彈性電力系統(tǒng),，實(shí)現(xiàn)更高水平的可再生能源發(fā)電和可靠的能源運(yùn)輸,。Grid-Forming構(gòu)網(wǎng)型儲能系統(tǒng)進(jìn)一步穩(wěn)固了電網(wǎng)電壓波形和高電能質(zhì)量，同時(shí)減輕了區(qū)域間或局部電網(wǎng)波動,。

構(gòu)網(wǎng)型儲能技術(shù)通過超配PCS方式提高過載能力構(gòu)建起支撐大電網(wǎng)穩(wěn)定運(yùn)行的電壓源,，可以起到快速調(diào)頻調(diào)壓、增加慣量和短路容量支撐,、抑制寬頻振蕩等作用,，從而增強(qiáng)電力系統(tǒng)穩(wěn)定性。

區(qū)別于傳統(tǒng)跟網(wǎng)型儲能,，構(gòu)網(wǎng)型儲能能夠主動識別電網(wǎng)情況,，更精細(xì)主動地平抑電網(wǎng)波動。

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隨著銅價(jià)暴漲高燒不退,，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件,，散熱系統(tǒng)，整機(jī)重量）,，電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代,，未來已來！基半BASiC一級代理商專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET,！基半BASiC一級代理商全力推進(jìn)基本公司?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT!

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國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲系統(tǒng),，1500V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器,，1500V系統(tǒng)儲能變流器PCS，1500V系統(tǒng)固態(tài)斷路器,，固態(tài)變壓器以及2000V光儲系統(tǒng),，2000V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器-MPPT飛跨碳化硅SiC碳化硅模塊和逆變SiC碳化硅模塊，2000V系統(tǒng)儲能變流器PCS,，2000V系統(tǒng)固態(tài)斷路器等,。

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小,。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限,。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗,，從而提高開關(guān)頻率,。進(jìn)一步的，可以優(yōu)化濾波器組件,，相應(yīng)的損耗會下降,，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊,，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,，功率損耗可以降低約70%左右,，可以將開關(guān)頻率提5倍（實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時(shí)保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值,。

未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn),，更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻,、更低的開關(guān)損耗,、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性,。

為此,，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET,，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層,，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻,、器件開關(guān)損耗,，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲能,、新能源汽車,、直流快充、工業(yè)電源,、通信電源,、伺服驅(qū)動、APF/SVG,、熱泵驅(qū)動,、工業(yè)變頻器、逆變焊機(jī),、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性,。

為滿足光伏儲能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求,，BASiC?基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ,、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻,、低導(dǎo)通損耗,、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn),。

針對新能源汽車的應(yīng)用需求,，BASiC?基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應(yīng)用在車載充電機(jī)及汽車空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動中,。

B3M040120Z是BASiC?基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品,，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層,，提升可靠性，相對于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻,、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升,。

相較于傳統(tǒng)封裝形式，BASiC?基半股份PCB嵌入式功率模塊單位半導(dǎo)體的通流能力可以提升約40%,，或者同樣電流輸出使用的半導(dǎo)體用量減少1/3,。同樣功率輸出條件下，功率模塊物料成本有望降低20%,。PCB布局設(shè)計(jì)相對于傳統(tǒng)封裝設(shè)計(jì)更加靈活,，大大加快了工程開發(fā)的迭代速度和客戶交付速度。受到封裝-而難以在傳統(tǒng)逆變器中實(shí)現(xiàn)的高級電路拓?fù)?，如三電平,、IGBT/SiC MOSFET混并等方案，都可以借助BASiC?基半股份PCB嵌入式封裝高度靈活性的優(yōu)勢而加速了產(chǎn)業(yè)化落地,。

根據(jù)技術(shù)和商業(yè)評估,，BASiC?基半股份PCB嵌入式功率模塊是一項(xiàng)非常有前景的封裝技術(shù)，有望在在單位功率成本,、功率密度,、產(chǎn)品交付和迭代速度等方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越傳統(tǒng)封裝，成為未來電力電子應(yīng)用的新方向,。

BMF240R12E2G3是BASiC?基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊,，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板,，在導(dǎo)通電阻,、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通,、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色,。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC?基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應(yīng)用于OBC,、空調(diào)壓縮機(jī)和工業(yè)電源中,。

BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列，此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設(shè)計(jì),，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通,，還可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT等功率器件,。

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢,，同時(shí)也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在,。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸,，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降,，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。