廣電計(jì)量可以做AEC-Q-100認(rèn)證報(bào)告,AEC-Q-101認(rèn)證報(bào)告,AEC-Q-102認(rèn)證報(bào)告, AEC-Q-104認(rèn)證報(bào)告,AEC-Q-200認(rèn)證報(bào)告,元器件篩選,破壞性物理分析,NVH測(cè)試

     廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司(股票簡(jiǎn)稱:廣電計(jì)量,股票代碼:002967)始建于1964年,是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計(jì)量站,經(jīng)過(guò)50余年的發(fā)展,現(xiàn)已成為一家全國(guó)化,、綜合性的國(guó)有第三方計(jì)量檢測(cè)機(jī)構(gòu),專注于為客戶提供計(jì)量,、檢測(cè)、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù),在計(jì)量校準(zhǔn),、可靠性與環(huán)境試驗(yàn),、電磁兼容檢測(cè)等多個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)能力及業(yè)務(wù)規(guī)模處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平.

     隨著納米科技的發(fā)展,納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速,而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束.近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的聚焦離子束(FIB)技術(shù)利用高強(qiáng)度聚焦離子束對(duì)材料進(jìn)行納米加工,配合掃描電鏡(SEM)等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察,成為了納米級(jí)分析、制造的主要方法.目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改,、切割和故障分析等.

 2.原理

聚焦離子束(Focused Ion beam, FIB)的系統(tǒng)是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的顯微切割儀器,目前商用系統(tǒng)的離子束為液相金屬離子源(Liquid metal Ion Source,LMIS),金屬材質(zhì)為鎵(Gallium, Ga),因?yàn)殒壴鼐哂械腿埸c(diǎn),、低蒸氣壓、及良好的抗氧化力;典型的離子束顯微鏡包括液相金屬離子源,、電透鏡,、掃描電極、二次粒子偵測(cè)器,、5-6軸向移動(dòng)的試片基座,、真空系統(tǒng),、抗振動(dòng)和磁場(chǎng)的裝置、電子控制面板,、和計(jì)算機(jī)等硬設(shè)備,外加電場(chǎng)于液相金屬離子源,可使液態(tài)鎵形成細(xì)小尖端,再加上負(fù)電場(chǎng)(Extractor) 牽引尖端的鎵,而導(dǎo)出鎵離子束,在一般工作電壓下,尖端電流密度約為1埃10-8 Amp/cm2,以電透鏡聚焦,經(jīng)過(guò)一連串變化孔徑 (Automatic Variable Aperture, AVA)可決定離子束的大小,再經(jīng)過(guò)二次聚焦至試片表面,利用物理碰撞來(lái)達(dá)到切割之目的,結(jié)構(gòu)示意圖如下圖:

3.應(yīng)用

 聚焦離子束系統(tǒng)除了具有電子成像功能外,由于離子具有較大的質(zhì)量,經(jīng)過(guò)加速聚焦后還可對(duì)材料和器件進(jìn)行蝕刻,、沉積、離子注入等加工.

4.聚焦離子束的發(fā)展

 聚焦離子束現(xiàn)已發(fā)展成與SEM等設(shè)備聯(lián)用.FIB-SEM雙系統(tǒng)可以在高分辨率掃描電鏡顯微圖像監(jiān)控下發(fā)揮聚焦離子束的超微細(xì)加工能力.

在FIB-SEM雙束系統(tǒng)中,聚焦離子束和電子束優(yōu)勢(shì)互補(bǔ).離子束成型襯度大,但存在損傷樣品和分辨率低的缺點(diǎn),電子束激發(fā)的二次電子成像分辨率高,、對(duì)樣品損傷小,但襯度較低,兩者組合可獲得更清晰準(zhǔn)確的樣品表面信息.